Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (3)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Halushchak M$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 5
Представлено документи з 1 до 5
1.

Halushchak O. 
Some aspects of the organizing of administrative management in organizations [Електронний ресурс] / O. Halushchak, M. Halushchak // Соціально-економічні проблеми і держава. - 2015. - Вип. 1. - С. 230-238. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Sepid_2015_1_28
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.299 Mb    Зміст випуску     Цитування
2.

Halushchak M. 
Distribution of authorities between the State Secretariat of Military affairs of the Western Ukrainian People's Republic and the Initial team of the Galician army [Електронний ресурс] / M. Halushchak // Східноєвропейський історичний вісник. - 2018. - Вип. 8. - С. 79-86. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eehb_2018_8_9
Попередній перегляд:   Завантажити - 205.368 Kb    Зміст випуску     Цитування
3.

Starchuk Yu. Yu. 
Electrochemical Properties of Hybrid Supercapacitors Formed Based on Nanoporous Carbon and Nickel Tungstate [Електронний ресурс] / Yu. Yu. Starchuk, B. I. Rachiy, I. M. Budzulyak, P. I. Kolkovskyi, N. Ya. Ivanichok, M. O. Halushchak // Journal of nano- and electronic physics. - 2021. - Vol. 13, no. 6. - С. 06021-1-06021-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2021_13_6_23
Проведено дослідження морфології поверхні вуглецевого матеріалу (ВМ) за допомогою методу адсорбції/десорбції азоту та визначено питому площі поверхні, яка становить 1200 - 1300 м<^>2. За методом співосадження синтезовано NiWO4 та досліджено його структуру. Досліджено електрохімічні властивості ВМ та NiWO4 з застосуванням методв хроноамперометрії та вольтамперометрії, а також апробовано використання даних матеріалів як електродів гібридних суперконденсаторів (ГК) - анода та катода відповідно. Сформовано гібридну електрохімічну систему типу ВМ/KOH /NiWO4. Використання такої системи надає змогу підвищити робочий діапазон напруги ГК на основі водних електролітів з 0 - 1 В до 0,6 - 1,6 В, а отже, і підвищити енергетичні характеристики одиничної комірки більше, ніж удвічі. Показано, що за робочих струмів 1 мА питома ємність ГК становить 57,1 Ф/г, при цьому питома густина енергії та потужність становлять 7,09 Вт-год/кг та 1,39 Вт/кг відповідно.
Попередній перегляд:   Завантажити - 570.763 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Kolkovska H. M. 
Electrochemical Properties of Hybrid Supercapacitors Formed Based on Carbon and ABO3-Type Perovskite Materials [Електронний ресурс] / H. M. Kolkovska, I. P. Yaremiy, P. I. Kolkovskyi, S-V. S. Sklepova, B. I. Rachiy, A. G. Belous, M. O. Halushchak // Journal of nano- and electronic physics. - 2022. - Vol. 14, no. 1. - С. 01020-1-01020-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2022_14_1_22
Синтезовано манганіти лантану (LaMnO3), стронцію (SrMnO3) та LaMnO3, допованого Sr, (La0,7Sr0,3MnO3) зі структурою перовскіту за методом золь-гель автогоріння. Досліджено структуру одержаних матеріалів за допомогою методу XRD, з використанням методів хроноамперометрії та вольтамперометрії вивчено електрохімічні властивості нанопористих вуглецевих матеріалів (ВМ), манганітів лантану, стронцію, а також La0,7Sr0,3MnO3, і досліджено застосування цих матеріалів як електродів гібридних електрохімічних конденсаторів (ГЕК). Сформовано гібридну електрохімічну систему типу ВМ/КОН/La0,7Sr0,3MnO3. Використання такої системи надає змогу підвищити робочий діапазон напруги ГЕК на основі водних електролітів з 0 - 1 до 0 - 1,4 В, а отже, підвищити енергетичні характеристики елемента. Встановлено, що високі значення питомої ємності одержано для ГЕК з електродом на основі La0,7Sr0,3MnO3, що становить близько 235 Ф/г при 1 мВ/с. У той же час для ГЕК з електродами на основі LaMnO3 та SrMnO3 одержано дещо нижчі значення питомої ємності, які становлять близько 130 Ф/г і 40 Ф/г відповідно.
Попередній перегляд:   Завантажити - 743.666 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Mazur T. 
Surface-Barrier CdTe Diodes for Photovoltaics [Електронний ресурс] / T. Mazur, M. Mazur, M. Halushchak // Journal of Nano- and Electronic Physics. - 2023. - Vol. 15, no. 2. - С. 02006-1-02006-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2023_15_2_8
В даній роботі проведено порівняльний аналіз застосування в енергетиці напівпровідникових сонячних елементів на основі монокристалічного, полікристалічного й аморфного кремнію (Si), а також телуриду кадмію (CdTe). Показано, що переваги тонкоплівкові технології та самого CdTe, як прямозонного напівпровідника, відкривають перспективу широкомасштабного виробництва конкурентоспроможних CdTe сонячних модулів (батарей). Описано технологію виготовлення підкладок, нанесення на пластинки індієвого омічного контакту, піддавання частини підкладок ряду додаткових обробок у водяній суспензії лужних металів, зокрема Li і CdTe:Li та проведення досліджень на них, а також на хімічно травлених підкладках, які не пройшли ніяких додаткових обробок і умовно позначено CdTe. Вивчено можливості застосування для фотоперетворювачів приладів на основі монокристалічного CdTe, які називаються поверхнево-барэєрними діодами (ПБД). Обговорено технологічні досягнення, які призводять до змін фізико-хімічних властивостей поверхонь монокристалічних n-CdTe підкладок (їх основних оптичних, електричних та фотоелектричних параметрів, а також характеристик контактів метал-напівпровідник на базі монокристалічного телуриду кадмію). Аналізуючи властивості об'єктів досліджень відзначено, що модифікація поверхні впливає не тільки на величину висоти потенціального бар'єру, але також суттєво змінює характер перебігу електричних і фотоелектричних процесів, а морфологія поверхні підкладок CdTe:Li залишається подібною немодифікованим, хоча величина ПБД на їх основі помітно вище. Також встановлено, що швидкість поверхневої рекомбінації ПБД на базі підкладинок з поверхневою наноструктурою на два і один порядок менше, ніж в структурах на основі базових підкладинок і оброблених в суспензії солей лужних металів відповідно. Модифікація підкладок призводить до збільшення ефективності сонячних елементів (СЕ), причому найбільша ефективність фотоперетворення СЕ спостерігається для ПБД на базі підкладок з поверхневою наноструктурою і становить 9 % за температури 300 К за умови освітлення АМ2. Розглянуто способи використання технологій, запропонованих у роботі, для створення поверхнево-бар'єрних фотоелементів на основі тонких плівок CdTe.
Попередній перегляд:   Завантажити - 471.402 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського